极紫外光刻机和深紫外光刻机

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╯△╰ 中航电测:间隙光刻机构及其光刻方法专利使用紫外光源,应用于电阻...金融界5月17日消息,有投资者在互动平台向中航电测提问:请问公司专利“一种间隙光刻机构及其光刻方法"使用的是哪种光源?能否用在芯片制造工艺上?麻烦回复一下,不要故意不回复呢!公司回答表示:公司此项发明专利使用的是紫外光源,应用于公司核心产品电阻应变计的生产。本文源...

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日媒称佳能光刻机业务东山再起 挑战阿斯麦霸主地位【CNMO科技消息】5月17日,CNMO了解到,据日媒报道,佳能公司在半导体光刻机业务上已展现出复苏的强劲势头。尽管过去在与荷兰阿斯麦和尼康的竞争中,佳能未能成功生产出ArF浸没式光刻机和EUV(极紫外)光刻机,但近期他们通过推出纳米压印光刻装置(nanoimprint lithography),成...

阿斯麦新型EUV遭大客户婉拒? 台积电(TSM.US)表示这款光刻机太贵阿斯麦最新型的先进芯片制造光刻机器的价格令人望而却步。台积电高级副总裁Kevin Zhang周二在阿姆斯特丹的一个技术研讨会上表示:“这台EUV光刻机成本非常高。”他指的是阿斯麦最新推出的“high-NA”级别极紫外(EUV)光刻机。我喜欢high-NA EUV的性能,但我确实不喜欢它的...

美媒放风:阿斯麦能远程瘫痪台积电荷兰光刻机制造商阿斯麦向荷兰官员保证,可以远程强制关闭台湾地区芯片生产企业台积电的光刻机,包括最先进的极紫外光刻机。据报道,台积... 有关绿营媒体把美方“毁台”言论硬拗成“保护”,是在侮辱台湾民众的智商。越来越多的台湾同胞已经认清,“倚美”越深、“毁台”越甚,只...

三星申请极紫外光刻装置专利,能有效操作极紫外光刻装置金融界2023年12月5日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“极紫外光刻装置和操作极紫外光刻装置的方法“,公开号CN117170189A,申请日期为2023年5月。专利摘要显示,提供了一种极紫外(EUV)光刻装置和操作EUV光刻装置的方法。所述操作极紫外(EUV)光...

英特尔开始采用极紫外光刻技术大规模量产Intel 4制程节点作者:E科讯 近日,英特尔宣布已开始采用极紫外光刻(EUV)技术大规模量产(HVM)Intel 4制程节点。Intel 4大规模量产的如期实现,再次证明了英特尔正以强大的执行力推进“四年五个制程节点”计划,并将其应用于新一代的领先产品,满足AI推动下“芯经济”指数级增长的算力需求。作为英...

第一次EUV极紫外光刻!Intel 4工艺官宣大规模量产Intel官方宣布,已经开始采用EUV极紫外光刻技术,大规模量产Intel 4制造工艺。这是Intel首个采用EUV生产的制程节点,对比前代在性能、能效、晶体管密度方面均实现了显著提升。Intel 4工艺首发用于代号Meteor Lake的酷睿Ultra处理器,将在12月14日正式发布,面向主流和轻薄笔记本。关...

阿斯麦确认向英特尔交付首台高数值孔径极紫外光刻系统荷兰半导体设备制造巨头阿斯麦12月21日在社交媒体平台X发文确认,向英特尔交付首台高数值孔径极紫外光刻系统。每台设备的造价超3亿美元,可满足一线芯片制造商的需求,未来十年内能够制造更小、更好的芯片。本文源自金融界AI电报

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台积电申请EUV光刻掩模薄膜专利,提高极紫外光掩模的制造效率金融界2023年12月6日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“用于EUV光刻掩模的薄膜及其制造方法“,公开号CN117170179A,申请日期为2023年5月。专利摘要显示,本公开涉及用于EUV光刻掩模的薄膜及其制造方法。在一种制造用于极紫外(EU...

∩△∩ ...申请控制半导体工艺的方法和半导体处理装置专利,能有效执行光刻工艺包括:通过向形成在至少一个样本晶片上的第一光刻胶层照射第一剂量的极紫外(EUV)光来形成多个样本套刻键标;确定用于校正从多个样本套刻键标测量的样本套刻误差的样本校正参数;基于第一剂量和第二剂量之间的差来更新样本校正参数;基于经更新的样本校正参数,通过向形成在样本...