极紫外光刻技术掩模_极紫外光刻技术掩模

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＋▂＋ 台积电申请EUV光刻掩模薄膜专利,提高极紫外光掩模的制造效率金融界2023年12月6日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“用于EUV光刻掩模的薄膜及其制造方法“,公开号CN117170179A,申请日期为2023年5月。专利摘要显示,本公开涉及用于EUV光刻掩模的薄膜及其制造方法。在一种制造用于极紫外(EU...

英特尔CEO:加速IDM 2.0转型,推进代工服务发展IMS是英特尔旗下开发先进EUV(极紫外光刻)所需的多波束掩模写入工具的行业领导者。 作为英特尔“IDM 2.0”转型战略的重要一环,英特尔代... 技术的发展变革加强了“IDM 2.0”的有效性。英特尔提出了“芯经济”(Siliconomy)的概念,即“在芯片和软件的推动下,正在不断增长的经济形...

三星:EUV薄膜透射率已达90% 计划提高至94-96%【CNMO新闻】据外媒消息,三星电子的极紫外(EUV)光刻技术取得了重大进展。近日,三星电子DS部门研究员Kang Young-seok详细介绍了该公... 三星90%的透射率意味着只有90%进入薄膜的光到达掩模,这可能会影响电路图案的精度。这比更常见的氟化氩 (ArF) 工艺中使用的薄膜99.3%...

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